Характеристики:
• Наименование прибора: SPW35N60CFD
• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 34.1 A
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 163 nC
• Время нарастания (tr): 25 ns
• Выходная емкость (Cd): 1400 pf
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.118 Ohm
• Тип корпуса: TO247

Вітаємо Вас! У зв'язку з великим попитом на товар цього типу - наявність товарів уточнюйте у менеджера

Дивіться також

Транзистори igbt Ru6888r

Покупцям

Умови повернення та обміну